2013年，盛夏的余温，被秋日的第一缕凉风悄然吹散。

然而，在启明芯集团内部，以及整个华夏半导体产业界，

那股因为“神农光刻胶SP-28”成功实现工业化量产和产线验证，

而引发的激动与自豪的热浪，却依旧在持续高涨，久久不息！

林轩，这位一手缔造了这场“材料革命”的总设计师，却并没有沉醉在阶段性的胜利喜悦之中。

他的目光，早已从光刻胶这颗“皇冠上的明珠”，

投向了构成半导体产业链这座巍峨金字塔的、更多更基础、也同样被国外巨头“卡住脖子”的——核心战略环节！

“光刻胶的突破，仅仅是为我们撕开了一道微小的缺口。”

在一次“星尘补天计划”核心战略推进会上，林轩对着赵晴鸢、顾维钧、理查德·刘，

以及几位新近从国家级科研院所和大型化工集团抽调来的、专门负责不同材料攻关方向的顶尖专家，语气平静却带着不容置疑的战略决心，

“要想真正实现华夏半导体上游产业链的全面自主可控，我们还有太多的‘硬仗’要打，太多的‘高地’需要去攻占！”

他身后那块巨大的全息星图上，代表着半导体核心材料的星云图谱，

再次被点亮。这一次，除了光刻胶之外，

另外两个闪耀着刺目红光的“卡脖子”节点，被重点标记了出来：

超高纯度特种电子气体！ 以及 高纯度金属溅射靶材！

这两种看似不起眼的工业耗材，却是现代集成电路制造中，与光刻胶同等重要、甚至在某些特定工艺环节更为关键的——“血液”与“食粮”！

超高纯度特种电子气体，如用于精确刻蚀芯片线路的C4F8、CHF3、NF3等含氟气体，

以及用于原子层沉积（ALD）或化学气相沉积（CVD）形成各种功能薄膜的WF6（六氟化钨）、SiH4（硅烷）、高纯NH3（氨气）等。

它们对纯度的要求，往往达到惊人的6N（99.9999%）甚至7N（99.%）以上！

任何ppb（十亿分之一）甚至ppt（万亿分之一）级别的微量金属或有机杂质污染，

都可能导致整片晶圆的电学性能发生灾难性的偏移，甚至直接报废！

长期以来，这一领域的核心技术和全球市场，被米国的空气化工、普莱克斯，

法兰西的液化空气，以及东瀛的太阳日酸、昭和电工等少数几家跨国化工巨头所绝对垄断。

他们不仅掌控着最先进的提纯与混配技术，更对华夏实行着严格的“技术保密”和“价格歧视”。

高纯度金属溅射靶材，则是用于在芯片上通过物理气相沉积（PVD）工艺，

制造导电金属连线（如铜、铝、钨）或阻挡层（如钛、钽）的核心原材料。

其对金属本身的纯度、晶粒结构均匀性、以及靶材表面的平整度和致密性，都有着极其严苛的要求。

这一领域，也同样被东瀛的日矿金属、三井矿业，以及M国和德意志的少数几家特种材料巨头所把持。

“气体，是芯片制造的‘呼吸’；靶材，是芯片连接的‘血脉’。”